Português coautor de dispositivo que gera eletricidade

Ricardo Ribeiro é coautor de uma investigação internacional que levou à criação de um dispositivo, com a espessura de um átomo, que gera eletricidade. O projeto científico desenvolvido, em conjunto com Andre Geim e Konstantin Novoselov, ambos Nobel da Física 2010, foi publicado na última quinta-feira na revista Science.

Este dispositivo tem "uma capacidade extraordinária" e promete revolucionar o modo como é produzida a energia elétrica, destaca Ricardo Ribeiro, do Centro de Física da Universidade do Minho, que acredita que este poderá ser "um novo paradigma na fotodeteção e na energia solar".

Em comunicado citado pelo Boas Notícias, o investigador explica que a eletricidade gerada com este dispositivo é produzida de "uma forma limpa", com base na utilização de "materiais amigos do ambiente".

Um dos materiais utilizados na construção do mecanismo foi o grafeno, subproduto da grafite, descoberto em 2004 por Gaim e Novoselov, que é o material mais fino do mundo e, por isso, melhor condutor de eletricidade do que o cobre. Outra das vantagens é a sua resistência, superior à do aço. "Por cada 100 fotões de luz, 30 são convertidos em eletricidade, o que o coloca entre os melhores conversores de luz em eletricidade que existem. E também já pode competir com as melhores células solares que se produzem, apesar de ser apenas um protótipo", explica.

Uma das possibilidades que este dispositivo oferece é a sua integração em muitos tipos de substrato, incluindo aqueles que são mais flexíveis, como o plástico. Ricardo Ribeiro realça que "vai ser possível ter células solares com alta eficiência embutida nas nossas roupas e a carregar os nossos telemóveis".

O estudo "Strong Light-Matter Interactions in Heterostructures of Atomically Thin Films" contou com a participação de Andre Geim e Konstantin Novoselov, os "Nobel do grafeno", e de investigadores das universidades de Manchester (Reino Unido), Minho (Portugal), Freie (Alemanha), Nacional de Seul (Coreia do Sul), Nacional de Singapura (Singapura) e o Instituto de Tecnologia de Microeletrónica (Rússia).